DIODE SERIES-Jinan HFZT Electronic Co.,Ltd

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Type	Download	I_TRM	V_BO		\|+V_BO\| -\|-V_BO\|	\|±△V\|	V_O	I_BO	tr	I_B	Case Style
		I_TRM	Min	Max	\|+V_BO\| -\|-V_BO\|	\|±△V\|	V_O	I_BO	tr	I_B
		A	V	V	V	V	V	μA	μs	μA

DB3	DB3	2.0	28	36	±3	5.0	5.0	100	1.5	10	DO-35
DB4	DB4	2.0	35	45	±3	5.0	5.0	100	1.5	10	DO-35
DB3	DB3	2.0	28	36	±3	5.0	5.0	100	1.5	10	MINI-MELF
DB4	DB4	2.0	35	45	±3	5.0	5.0	100	1.5	10	MINI-MELF

DIODE SERIES

Type:DB3

I_TRM:2.0

V_BO(Min):28

V_BO(Max):36

|+V_BO|-|-V_BO|:±3

|±△V|:5.0

V_O(V):5.0

I_BO(μA):100

t_r(μs):1.5

I_B(μA):10

Case Style:DO-35

Type:DB4

I_TRM:2.0

V_BO(Min):35

V_BO(Max):45

|+V_BO|-|-V_BO|:±3

|±△V|:5.0

V_O(V):5.0

I_BO(μA):100

t_r(μs):1.5

I_B(μA):10

Case Style:DO-35

Type:DB3

I_TRM:2.0

V_BO(Min):28

V_BO(Max):36

|+V_BO|-|-V_BO|:±3

|±△V|:5.0

V_O(V):5.0

I_BO(μA):100

t_r(μs):1.5

I_B(μA):10

Case Style:MINI-MELF

Type:DB4

I_TRM:2.0

V_BO(Min):35

V_BO(Max):45

|+V_BO|-|-V_BO|:±3

|±△V|:5.0

V_O(V):5.0

I_BO(μA):100

t_r(μs):1.5

I_B(μA):10

Case Style:MINI-MELF